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三星发布10nm级DDR4 SO-DIMM内存:功耗减少39%

来源:九度网新闻   作者:news.9duw.com   发布时间:2018-05-31 13:16:37

三星今日宣布推出基于10nm级(指10~18nm)的DDR4 SO-DIMM内存模组,用于高性能笔记本产品。新的内存模组容量达到32GB单条,频率2666MHz,结构上是由16个16Gb DDR4 DRAM芯片组成。

三星发布10nm级DDR4 SO-DIMM内存:功耗减少39%,速度快11%

三星称,新品取代的是2014年推出的20nm级16GB SoDIMM模组,后者的单芯片容量是8Gb。当然,换用更先进的制造工艺和采用更高容量后,不仅功耗减少39%,速度也快了11%。

按照三星的官方数据,配备2x32GB新内存的游戏本,活动功耗会低于4.6瓦,空闲功耗会低于1.4瓦。目前,三星的10nm工艺级的DRAM产品已经涵盖最大容量16Gb的LPDDR4内存、GDDR5显存和DDR4内存等。

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