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三星发布全球首款3D垂直NAND闪存SSD

来源:news.9duw.com整理   作者:www.9duw.com   发布时间:2013-08-15 17:01:17

三星日前发布了全球第一款基于3D垂直设计V-NAND闪存的固态硬盘产品“V-NAND SSD”。据介绍,V-NAND SSD采用标准的2.5寸规格,厚度为7毫米,但主要面向企业级市场,已于本月初投产,不过出货时间未公布。

它提供了960GB、480GB两种容量版本,其中前者性能最佳,持续和随机写入速度提升超过20%、功耗降低超过40%(没有给出对比对象),采用了64颗MLC 3D V-NAND闪存内核,每一颗容量128Gb(16GB),同时搭配SATA 6Gbps主控制器。

三星宣称,3D V-NAND在极大提高存储密度的同时,还解决了闪存进入1xnm工艺时代后的可靠性和耐用性问题,V-NAND SSD的编程/擦写循环次数高达3.5万,相比之下25/20nm的普通型MLC NAND才不过3000次。

三星的3D V-NAND闪存内部采用三星独有的垂直单元结构,通过3D CTF电荷捕型获闪存技术、垂直互连工艺技术来连接3D单元阵列,可以将最多24个单元层堆叠在一起。

三星表示会继续研发下一代3D V-NAND,但没有透露何时会推向消费级市场。

三星发布全球首款3D垂直NAND闪存SSD

三星发布全球首款3D垂直NAND闪存SSD

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