三星开发出第三代10nm级工艺DRAM内存芯片：EUV极紫外光刻技术

三星电子今日宣布开发出业内首款基于第三代10nm级工艺的DRAM内存芯片，将服务于高端应用场景，这距离三星量产1y nm 8Gb DDR4内存芯片仅过去16个月。第三代10nm级工艺即1z nm（在内存制造中，用x/y/z指代际，工艺区间是10~20nm），整合了EUV极紫外光刻技术，单芯片容量8Gb(1GB)。

三星表示，1z nm是业内目前最顶尖的工艺，生产效率较1y nm提升了20%，可以更好地满足日益增长的市场需求。

量产时间敲定在今年下半年，成品的8GB DDR4模组也在验证中，目标领域是下一代企业级服务器和2020年的高端PC产品。

三星还表示，将在平泽市（Pyeongtaek）提高DRAM芯片的产能，同时上述先进技术还将应用于未来的DDR5、LPDDR5、GDDR6产品上。

不过，就在昨天（3月20日），三星电子联席CEO金基南(Kim Ki-nam)还指出，由于智能机市场增长乏力，数据中心公司削减投资，公司的存储芯片等零部件业务预计将面临艰难一年。