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全球首款3D TSV 64GB容量DDR4内存量产

来源:news.9duw.com整理   作者:www.9duw.com   发布时间:2014-08-28 21:58:26

三星电子刚刚宣布,公司已经开始批量生产全球第一款采用3D TSV立体硅穿孔封装技术打造的DDR4内存条,单条容量高达64GB。当然,这是主要面向服务器应用的RDIMM条子,上有多达36颗DDR4 DRAM内存颗粒,每一个都封装了4个4Gb(512MB) DDR4 DRAM芯片,单颗容量2GB,并采用三星先进的2xnm工艺制造,不过三星并未公布频率、电压等规格。

而如此高的密度要感谢TSV技术。这是一种穿透硅晶圆或芯片的垂直互连方式,可将多个芯片堆叠起来,提升容量和性能。

据悉,三星早在2010年的4xnm 8GB内存上就首次使用了TSV,2011年又完成了3xnm 32GB,现在是第一次用于DDR4。

事实上,随着半导体集成度的提高,很多地方都纷纷开始了3D堆叠,三星此前就宣布已经投产第二代3D V-NAND立体闪存,创下存储密度新高。

全球首款3D TSV 64GB容量DDR4内存量产

全球首款3D TSV 64GB容量DDR4内存量产

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